SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
♠ Produkta apraksts
| Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
| Ražotājs: | Višajs |
| Produkta kategorija: | MOSFET |
| Tehnoloģija: | Si |
| Montāžas stils: | SMD/SMT |
| Iepakojums/kaste: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Tranzistora polaritāte: | P-kanāls |
| Kanālu skaits: | 2 kanāls |
| Vds — drenāžas avota sadalījuma spriegums: | 30 V |
| Id — nepārtrauktas drenāžas strāva: | 30 A |
| Rds ieslēgts — pretestība pret aizplūšanu: | 14 mOmi |
| Vgs — vārtu avota spriegums: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th — vārtu avota sliekšņa spriegums: | 2,5 V |
| Qg — vārtu maksa: | 50 nC |
| Minimālā darba temperatūra: | -55 C |
| Maksimālā darba temperatūra: | + 175 C |
| Pd — jaudas izkliede: | 56 W |
| Kanāla režīms: | Uzlabojums |
| Kvalifikācija: | AEC-Q101 |
| Tirdzniecības nosaukums: | TrenchFET |
| Iepakojums: | Spole |
| Iepakojums: | Izgriezt lenti |
| Iepakojums: | MouseReel |
| Zīmols: | Vishay pusvadītāji |
| Konfigurācija: | Divkāršs |
| Rudens laiks: | 28 ns |
| Produkta veids: | MOSFET |
| Augšanas laiks: | 12 ns |
| Sērija: | SQ |
| Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 3000 |
| Apakškategorija: | MOSFET |
| Tranzistora tips: | 2 P-kanāls |
| Tipisks izslēgšanas aizkaves laiks: | 39 ns |
| Tipisks ieslēgšanas aizkaves laiks: | 12 ns |
| # daļas aizstājvārdi: | SQJ951EP-T1_BE3 |
| Vienības svars: | 0,017870 unces |
• Nesatur halogēnus Saskaņā ar IEC 61249-2-21 definīciju
• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 kvalificēts
• 100 % Rg un UIS pārbaudīts
• Atbilst RoHS direktīvai 2002/95/EK
