FDV301N MOSFET N-Ch Digital
♠ Produkta apraksts
| Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
| Ražotājs: | onsemi |
| Produkta kategorija: | MOSFET |
| RoHS: | Sīkāka informācija |
| Tehnoloģija: | Si |
| Montāžas stils: | SMD/SMT |
| Iepakojums/kaste: | SOT-23-3 |
| Tranzistora polaritāte: | N-kanāls |
| Kanālu skaits: | 1 kanāls |
| Vds — drenāžas avota sadalījuma spriegums: | 25 V |
| Id — nepārtrauktas drenāžas strāva: | 220 mA |
| Rds ieslēgts — pretestība pret aizplūšanu: | 5 omi |
| Vgs — vārtu avota spriegums: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th — vārtu avota sliekšņa spriegums: | 700 mV |
| Qg — vārtu maksa: | 700 gab |
| Minimālā darba temperatūra: | -55 C |
| Maksimālā darba temperatūra: | + 150 C |
| Pd — jaudas izkliede: | 350 mW |
| Kanāla režīms: | Uzlabojums |
| Iepakojums: | Spole |
| Iepakojums: | Izgriezt lenti |
| Iepakojums: | MouseReel |
| Zīmols: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurācija: | Viens |
| Rudens laiks: | 6 ns |
| Pārvadītspēja uz priekšu — min: | 0,2 S |
| Augstums: | 1,2 mm |
| Garums: | 2,9 mm |
| Produkts: | MOSFET mazs signāls |
| Produkta veids: | MOSFET |
| Augšanas laiks: | 6 ns |
| Sērija: | FDV301N |
| Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 3000 |
| Apakškategorija: | MOSFET |
| Tranzistora tips: | 1 N-kanāls |
| Veids: | FET |
| Tipisks izslēgšanas aizkaves laiks: | 3,5 ns |
| Tipisks ieslēgšanas aizkaves laiks: | 3,2 ns |
| Platums: | 1,3 mm |
| # daļas aizstājvārdi: | FDV301N_NL |
| Vienības svars: | 0,000282 unces |
♠ Digitālais FET, N-kanāls FDV301N, FDV301N-F169
Šis N-Channel loģikas līmeņa uzlabošanas režīma lauka efekta tranzistors tiek ražots, izmantojot onsemi patentēto, augsta šūnu blīvuma DMOS tehnoloģiju.Šis ļoti augsta blīvuma process ir īpaši pielāgots, lai samazinātu pretestību ieslēgtā stāvoklī.Šī ierīce ir īpaši izstrādāta zemsprieguma lietojumiem, lai aizstātu digitālos tranzistorus.Tā kā slīpo rezistori nav nepieciešami, šis viens N-kanālu FET var aizstāt vairākus dažādus digitālos tranzistorus ar dažādām slīpo rezistoru vērtībām.
• 25 V, 0,22 A nepārtraukta, 0,5 A maksimums
♦ RDS(ieslēgts) = 5 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(ieslēgts) = 4 @ VGS = 4,5 V
• Ļoti zema līmeņa vārtu piedziņas prasības, kas ļauj tieši darboties 3 V ķēdēs.VGS(th) < 1,06 V
• Gate−Source Zener ESD izturīgumam.> 6 kV Cilvēka ķermeņa modelis
• Nomainiet vairākus NPN digitālos tranzistorus ar vienu DMOS FET
• Šī ierīce ir bez Pb un bez halogenīdiem
