VNS1NV04DPTR-E vārtu draiveri OMNIFET jaudas MOSFET 40V 1.7 A
♠ Produkta apraksts
| Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
| Ražotājs: | STMicroelectronics |
| Produkta kategorija: | Vārtu vadītāji |
| Produkts: | MOSFET vārtu draiveri |
| Tips: | Zemākā puse |
| Montāžas stils: | SMD/SMT |
| Iepakojums / Kaste: | SOIC-8 |
| Vadītāju skaits: | 2 Vadītājs |
| Izeju skaits: | 2 Izeja |
| Izejas strāva: | 1,7 A |
| Barošanas spriegums - maks.: | 24 V |
| Celšanās laiks: | 500 ns |
| Rudens laiks: | 600 ns |
| Minimālā darba temperatūra: | - 40°C |
| Maksimālā darba temperatūra: | + 150 °C |
| Sērija: | VNS1NV04DP-E |
| Kvalifikācija: | AEC-Q100 |
| Iepakojums: | Spole |
| Iepakojums: | Grieztā lente |
| Iepakojums: | MouseReel |
| Zīmols: | STMicroelectronics |
| Mitruma jutīgums: | Jā |
| Darbības barošanas strāva: | 150 mikroamperu |
| Produkta veids: | Vārtu vadītāji |
| Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 2500 |
| Apakškategorija: | PMIC - enerģijas pārvaldības mikroshēmas |
| Tehnoloģija: | Si |
| Vienības svars: | 0,005291 unces |
♠ OMNIFET II pilnībā automātiski aizsargāts jaudas MOSFET
VNS1NV04DP-E ir ierīce, kas sastāv no divām monolītām OMNIFET II mikroshēmām, kas ievietotas standarta SO-8 korpusā. OMNIFET II ir izstrādāti, izmantojot STMicroelectronics VIPower™ M0-3 tehnoloģiju: tie paredzēti standarta jaudas MOSFET tranzistoriem līdz pat 50 kHz lietojumos. Iebūvēta termiskā izslēgšana, lineāra strāvas ierobežošana un pārsprieguma skava aizsargā mikroshēmu skarbos apstākļos.
Kļūmes atgriezenisko saiti var noteikt, kontrolējot spriegumu ieejas tapā.
• Lineāra strāvas ierobežošana
• Termiskā izslēgšana
• Īsslēguma aizsardzība
• Integrēta skava
• Zema strāva, kas tiek patērēta no ieejas tapas
• Diagnostikas atgriezeniskā saite caur ieejas kontaktu
• ESD aizsardzība
• Tieša piekļuve jaudas MOSFET vārtiem (analogā vadība)
• Saderīgs ar standarta jaudas MOSFET tranzistoriem
• Saskaņā ar Eiropas direktīvu 2002/95/EK
