VNS1NV04DPTR-E Vārtu draiveri OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Produkta apraksts
| Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
| Ražotājs: | STMikroelektronika |
| Produkta kategorija: | Vārtu vadītāji |
| Produkts: | MOSFET vārtu draiveri |
| Veids: | Zemā puse |
| Montāžas stils: | SMD/SMT |
| Iepakojums/kaste: | SOIC-8 |
| Vadītāju skaits: | 2 Vadītājs |
| Izvadu skaits: | 2 Izvade |
| Izejas strāva: | 1,7 A |
| Barošanas spriegums - Max: | 24 V |
| Augšanas laiks: | 500 ns |
| Rudens laiks: | 600 ns |
| Minimālā darba temperatūra: | -40 C |
| Maksimālā darba temperatūra: | + 150 C |
| Sērija: | VNS1NV04DP-E |
| Kvalifikācija: | AEC-Q100 |
| Iepakojums: | Spole |
| Iepakojums: | Izgriezt lenti |
| Iepakojums: | MouseReel |
| Zīmols: | STMikroelektronika |
| Mitruma jutīgs: | Jā |
| Darbības padeves strāva: | 150 uA |
| Produkta veids: | Vārtu vadītāji |
| Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 2500 |
| Apakškategorija: | PMIC — jaudas pārvaldības IC |
| Tehnoloģija: | Si |
| Vienības svars: | 0,005291 unces |
♠ OMNIFET II pilnībā automātiski aizsargāts Power MOSFET
VNS1NV04DP-E ir ierīce, ko veido divas monolītas OMNIFET II mikroshēmas, kas atrodas standarta SO-8 iepakojumā.OMNIFET II ir izstrādāti STMicroelectronics VIPower™ M0-3 tehnoloģijā: tie ir paredzēti standarta Power MOSFET nomaiņai no līdzstrāvas līdz 50KHz lietojumprogrammām.Iebūvēta termiskā izslēgšana, lineārās strāvas ierobežojums un pārsprieguma skava aizsargā mikroshēmu skarbos apstākļos.
Bojājumu atgriezenisko saiti var noteikt, pārraugot spriegumu pie ieejas tapas.
• Lineārās strāvas ierobežojums
• Termiskā izslēgšana
• Aizsardzība pret īssavienojumiem
• Integrēta skava
• Zema strāva, kas iegūta no ievades tapas
• Diagnostikas atgriezeniskā saite caur ievades tapu
• ESD aizsardzība
• Tieša piekļuve jaudas mosfeta vārtiem (analogā braukšana)
• Savietojams ar standarta jaudas MOSFET
• Atbilstoši 2002/95/EC Eiropas direktīvai
