SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
♠ Produkta apraksts
Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
Ražotājs: | Višajs |
Produkta kategorija: | MOSFET |
RoHS: | Sīkāka informācija |
Tehnoloģija: | Si |
Montāžas stils: | SMD/SMT |
Iepakojums/kaste: | SOIC-8 |
Tranzistora polaritāte: | P-kanāls |
Kanālu skaits: | 1 kanāls |
Vds — drenāžas avota sadalījuma spriegums: | 30 V |
Id — nepārtrauktas drenāžas strāva: | 5,7 A |
Rds ieslēgts — pretestība pret aizplūšanu: | 42 mOmi |
Vgs — vārtu avota spriegums: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th — vārtu avota sliekšņa spriegums: | 1 V |
Qg — vārtu maksa: | 24 nC |
Minimālā darba temperatūra: | -55 C |
Maksimālā darba temperatūra: | + 150 C |
Pd — jaudas izkliede: | 2,5 W |
Kanāla režīms: | Uzlabojums |
Tirdzniecības nosaukums: | TrenchFET |
Iepakojums: | Spole |
Iepakojums: | Izgriezt lenti |
Iepakojums: | MouseReel |
Zīmols: | Vishay pusvadītāji |
Konfigurācija: | Viens |
Rudens laiks: | 30 ns |
Pārvadītspēja uz priekšu — min: | 13 S |
Produkta veids: | MOSFET |
Augšanas laiks: | 42 ns |
Sērija: | SI9 |
Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 2500 |
Apakškategorija: | MOSFET |
Tranzistora tips: | 1 P-kanāls |
Tipisks izslēgšanas aizkaves laiks: | 30 ns |
Tipisks ieslēgšanas aizkaves laiks: | 14 ns |
# daļas aizstājvārdi: | SI9435BDY-E3 |
Vienības svars: | 750 mg |
• TrenchFET® jaudas MOSFET
• Zema termiskā pretestība PowerPAK® pakete ar zemu 1,07 mm profiluEC