NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Produkta apraksts
| Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
| Ražotājs: | onsemi |
| Produkta kategorija: | MOSFET |
| RoHS: | Sīkāka informācija |
| Tehnoloģija: | Si |
| Montāžas stils: | SMD/SMT |
| Iepakojums/kaste: | SO-8FL-4 |
| Tranzistora polaritāte: | N-kanāls |
| Kanālu skaits: | 1 kanāls |
| Vds — drenāžas avota sadalījuma spriegums: | 30 V |
| Id — nepārtrauktas drenāžas strāva: | 52 A |
| Rds ieslēgts — pretestība pret aizplūšanu: | 4,73 mOmi |
| Vgs — vārtu avota spriegums: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th — vārtu avota sliekšņa spriegums: | 2,2 V |
| Qg — vārtu maksa: | 22,2 nC |
| Minimālā darba temperatūra: | -55 C |
| Maksimālā darba temperatūra: | + 150 C |
| Pd — jaudas izkliede: | 6 W |
| Kanāla režīms: | Uzlabojums |
| Iepakojums: | Spole |
| Iepakojums: | Izgriezt lenti |
| Iepakojums: | MouseReel |
| Zīmols: | onsemi |
| Konfigurācija: | Viens |
| Produkta veids: | MOSFET |
| Sērija: | NTMFS4C028N |
| Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 1500 |
| Apakškategorija: | MOSFET |
| Vienības svars: | 0,026455 unces |
• Zems RDS (ieslēgts), lai samazinātu vadīšanas zudumus
• Zema kapacitāte, lai samazinātu vadītāja zaudējumus
• Optimizēta ieejas maksa, lai samazinātu pārslēgšanas zudumus
• Šīs ierīces nesatur Pb, nesatur halogēnus/BFR un ir saderīgas ar RoHS
• CPU barošanas padeve
• Līdzstrāvas–līdzstrāvas pārveidotāji
