FDMC6679AZ MOSFET -30V P-Channel Power Tranšeja
♠ Produkta apraksts
| Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
| Ražotājs: | onsemi |
| Produkta kategorija: | MOSFET |
| RoHS: | Sīkāka informācija |
| Tehnoloģija: | Si |
| Montāžas stils: | SMD/SMT |
| Iepakojums/kaste: | Jauda-33-8 |
| Tranzistora polaritāte: | P-kanāls |
| Kanālu skaits: | 1 kanāls |
| Vds — drenāžas avota sadalījuma spriegums: | 30 V |
| Id — nepārtrauktas drenāžas strāva: | 20 A |
| Rds ieslēgts — pretestība pret aizplūšanu: | 10 mOmi |
| Vgs — vārtu avota spriegums: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th — vārtu avota sliekšņa spriegums: | 1,8 V |
| Qg — vārtu maksa: | 37 nC |
| Minimālā darba temperatūra: | -55 C |
| Maksimālā darba temperatūra: | + 150 C |
| Pd — jaudas izkliede: | 41 W |
| Kanāla režīms: | Uzlabojums |
| Tirdzniecības nosaukums: | PowerTrench |
| Iepakojums: | Spole |
| Iepakojums: | Izgriezt lenti |
| Iepakojums: | MouseReel |
| Zīmols: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurācija: | Viens |
| Pārvadītspēja uz priekšu — min: | 46 S |
| Augstums: | 0,8 mm |
| Garums: | 3,3 mm |
| Produkta veids: | MOSFET |
| Sērija: | FDMC6679AZ |
| Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 3000 |
| Apakškategorija: | MOSFET |
| Tranzistora tips: | 1 P-kanāls |
| Platums: | 3,3 mm |
| Vienības svars: | 0,005832 unces |
♠ FDMC6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 10 mΩ
FDMC6679AZ ir izstrādāts, lai samazinātu zudumus slodzes slēdžu lietojumos.Uzlabojumi gan silīcija, gan pakotņu tehnoloģijās ir apvienoti, lai piedāvātu zemāko rDS(ieslēgts) un ESD aizsardzību.
• Max rDS(ieslēgts) = 10 mΩ pie VGS = -10 V, ID = -11,5 A
• Max rDS(ieslēgts) = 18 mΩ pie VGS = -4,5 V, ID = -8,5 A
• HBM ESD aizsardzības līmenis 8 kV tipisks (3. piezīme)
• Paplašināts VGSS diapazons (-25 V) akumulatora lietojumiem
• Augstas veiktspējas tranšeju tehnoloģija īpaši zemam rDS(ieslēgtam)
• Lielas jaudas un strāvas apstrādes iespējas
• Pārtraukšana ir bezsvina un saderīga ar RoHS
• Load Switch piezīmjdatorā un serverī
• Piezīmjdatora akumulatora jaudas pārvaldība
