FDMC6679AZ MOSFET -30V P-kanāla jaudas tranšeja
♠ Produkta apraksts
| Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
| Ražotājs: | onsemi |
| Produkta kategorija: | MOSFET |
| RoHS: | Sīkāka informācija |
| Tehnoloģija: | Si |
| Montāžas stils: | SMD/SMT |
| Iepakojums / Kaste: | Jauda-33-8 |
| Tranzistora polaritāte: | P-kanāls |
| Kanālu skaits: | 1 kanāls |
| Vds - noteces-avota sabrukšanas spriegums: | 30 V |
| Id — nepārtraukta noteces strāva: | 20 A |
| Rds ieslēgts - noteces-avota pretestība: | 10 mOhmi |
| Vgs - vārtu-avota spriegums: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - vārtu-avota sliekšņa spriegums: | 1,8 V |
| Qg - Vārtu lādiņš: | 37 nC |
| Minimālā darba temperatūra: | - 55°C |
| Maksimālā darba temperatūra: | + 150 °C |
| Pd - jaudas izkliede: | 41 W |
| Kanāla režīms: | Uzlabošana |
| Tirdzniecības nosaukums: | PowerTrench |
| Iepakojums: | Spole |
| Iepakojums: | Grieztā lente |
| Iepakojums: | MouseReel |
| Zīmols: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurācija: | Vientuļš |
| Tiešās vadītspējas min.: | 46 S |
| Augstums: | 0,8 mm |
| Garums: | 3,3 mm |
| Produkta veids: | MOSFET |
| Sērija: | FDMC6679AZ |
| Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 3000 |
| Apakškategorija: | MOSFET tranzistori |
| Tranzistora tips: | 1 P kanāls |
| Platums: | 3,3 mm |
| Vienības svars: | 0,005832 unces |
♠ FDMC6679AZ P-kanāla PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 10 mΩ
FDMC6679AZ ir izstrādāts, lai samazinātu zudumus slodzes slēdžu lietojumos. Ir apvienoti gan silīcija, gan korpusa tehnoloģiju sasniegumi, lai nodrošinātu zemāko rDS(on) un ESD aizsardzību.
• Maks. rDS(ieslēgts) = 10 mΩ pie VGS = -10 V, ID = -11,5 A
• Maks. rDS(ieslēgts) = 18 mΩ pie VGS = -4,5 V, ID = -8,5 A
• HBM ESD aizsardzības līmenis ir tipisks 8 kV (3. piezīme)
• Paplašināts VGSS diapazons (-25 V) akumulatoru lietojumiem
• Augstas veiktspējas tranšeju tehnoloģija ārkārtīgi zemam rDS(on) līmenim
• Augsta jaudas un strāvas apstrādes spēja
• Termināls ir bezsvina un atbilst RoHS prasībām
• Slodzes slēdzis klēpjdatorā un serverī
• Klēpjdatora akumulatora enerģijas pārvaldība
