FDD86102LZ MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Īss apraksts:

Ražotāji: ON Semiconductor
Produktu kategorija: tranzistori - FET, MOSFET - viens
Datu lapas:FDD86102LZ
Apraksts: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
RoHS statuss: Saderīgs ar RoHS

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Produkta informācija

Produktu etiķetes

♠ Produkta apraksts

Atributo del producto	Valor de atributo
Izgatavotājs:	onsemi
Produkta kategorija:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tehnoloģija:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3
Polarīda tranzistors:	N-kanāls
Kanālu skaits:	1 kanāls
Vds — Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id — Corriente de drenaje continua:	42 A
Rds On — Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhms
Vgs — Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th — Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg — Carga de Puerta:	26 nC
Minimālā trabajo temperatūra:	-55 C
Temperatura de trabajo maxima:	+ 150 C
Dp — Disipación de potencia:	54 W
Modo kanāls:	Uzlabojums
Nombre Commercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Spole
Empaquetado:	Izgriezt lenti
Empaquetado:	MouseReel
Marka:	onsemi / Fairchild
Konfigurācija:	Viens
Transconductancia hacia delante — Mín.:	31 S
Altura:	2,39 mm
Garums:	6,73 mm
Produkta tips:	MOSFET
Sērija:	FDD86102LZ
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Apakškategorija:	MOSFET
Tranzistora tips:	1 N-kanāls
Ančo:	6,22 mm
Unidad peso:	0,011640 unces