Produkta informācija
Produktu etiķetes
| Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
| Ražotājs: | onsemi |
| Produkta kategorija: | MOSFET |
| RoHS: | Sīkāka informācija |
| Tehnoloģija: | Si |
| Montāžas stils: | SMD/SMT |
| Iepakojums/kaste: | DPAK-3 |
| Tranzistora polaritāte: | N-kanāls |
| Kanālu skaits: | 1 kanāls |
| Vds — drenāžas avota sadalījuma spriegums: | 600 V |
| Id — nepārtrauktas drenāžas strāva: | 1,7 A |
| Rds ieslēgts — pretestība pret aizplūšanu: | 1,9 omi |
| Vgs — vārtu avota spriegums: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th — vārtu avota sliekšņa spriegums: | 5 V |
| Qg — vārtu maksa: | 8,3 nC |
| Minimālā darba temperatūra: | -55 C |
| Maksimālā darba temperatūra: | + 150 C |
| Pd — jaudas izkliede: | 114 W |
| Kanāla režīms: | Uzlabojums |
| Tirdzniecības nosaukums: | UniFET |
| Iepakojums: | Spole |
| Iepakojums: | Izgriezt lenti |
| Iepakojums: | MouseReel |
| Zīmols: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurācija: | Viens |
| Rudens laiks: | 12,8 ns |
| Pārvadītspēja uz priekšu — min: | 3,4 S |
| Augstums: | 2,39 mm |
| Garums: | 6,73 mm |
| Produkts: | MOSFET |
| Produkta veids: | MOSFET |
| Augšanas laiks: | 15,1 ns |
| Sērija: | FDD4N60NZ |
| Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 2500 |
| Apakškategorija: | MOSFET |
| Tranzistora tips: | 1 N-kanāls |
| Tipisks izslēgšanas aizkaves laiks: | 30,2 ns |
| Tipisks ieslēgšanas aizkaves laiks: | 12,7 ns |
| Platums: | 6,22 mm |
| Vienības svars: | 0,011640 unces |
Iepriekšējais: NCP431BVSNT1G Sprieguma atsauces ANA 2.5V PROG SHUNT REF Nākamais: NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2.0A
