DP83869HMRGZR Ethernet integrālās shēmas Paaugstinātas temperatūras augstas noturības gigabitu Ethernet PHY raidītājs/uztvērējs ar vara un šķiedras saskarni
♠ Produkta apraksts
| Produkta atribūts | Atribūta vērtība |
| Ražotājs: | Teksasas instrumenti |
| Produkta kategorija: | Ethernet integrālās shēmas |
| RoHS: | Sīkāka informācija |
| Montāžas stils: | SMD/SMT |
| Iepakojums / Kaste: | VQFN-48 |
| Produkts: | Ethernet raidītāji |
| Standarts: | 10BASE-TE, 100BASE-TX, 1GBASE-T |
| Raidītāju/uztvērēju skaits: | 1 raidītājs/uztvērējs |
| Saskarnes veids: | MII, RGMII, SGMII |
| Darbības barošanas spriegums: | 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V |
| Minimālā darba temperatūra: | - 40°C |
| Maksimālā darba temperatūra: | + 125 °C |
| Sērija: | DP83869HM |
| Iepakojums: | Spole |
| Zīmols: | Teksasas instrumenti |
| Mitruma jutīgums: | Jā |
| Produkta veids: | Ethernet integrālās shēmas |
| Rūpnīcas iepakojuma daudzums: | 2000. gadā |
| Apakškategorija: | Komunikāciju un tīklu integrālās shēmas |
| Barošanas spriegums - maks.: | 3,45 V |
| Barošanas spriegums - Min: | 1,71 V |
♠ DP83869HM augstas noturības 10/100/1000 Ethernet fiziskā slāņa raidītājs-uztvērējs ar vara un optiskās šķiedras saskarni
DP83869HM ierīce ir izturīga, pilnvērtīgagigabitu fiziskā slāņa (PHY) raidītājs/uztvērējs arintegrēti PMD apakšslāņi, kas atbalsta 10BASE-Te,100BASE-TX un 1000BASE-T Ethernet protokoli.DP83869 atbalsta arī 1000BASE-X un100BASE-FX šķiedru protokoli. Optimizēti ESD.aizsardzība, DP83869HM pārsniedz 8 kV IEC61000-4-2 (tiešs kontakts). Šī ierīce ir savienota arMAC slānis caur reducētu GMII (RGMII) unSGMII. 100M režīmā ierīce ļauj dizainerimIzmantojiet MII, lai samazinātu latentumu. Programmējams integrētsRGMII/MII pārtraukšanas pretestība palīdz samazinātsistēmas materiālu komplekts.
DP83869HM atbalsta multivides konvertēšanunepārvaldīts režīms. Šajā režīmā DP83869HM varveikt 1000BASE-X-uz-1000BASE-T un 100BASE-FX-uz-100BASE-TX konvertēšanu.
DP83869HM var atbalstīt arī tilta pārveidošanuno RGMII uz SGMII un SGMII uz RGMII.TheDP83869HM atbilst TSN standartiem unpiedāvā zemu latentumu.
• Vairāki darbības režīmi
– Atbalstāmie materiāli: varš un šķiedra
– Vides pārveidošana starp varu un šķiedru
– Tilts starp RGMII un SGMII
• Maksimālā pieejamā apkārtējās vides temperatūra ir 125 °C
• Pārsniedz 8 kV IEC61000-4-2 ESD
• Zems enerģijas patēriņš
– < 150 mW 1000Base-X standartam
– < 500 mW 1000Base-T tīklam
• Zema RGMII latentuma
– Kopējais latentums ≤ 384 ns 1000Base-T tīklam
– Kopējais latentums ≤ 361 ns 100Base-TX tīklam
• Atbilst laika ziņā jutīga tīkla (TSN) prasībām
• Atgūta pulksteņa izeja SyncE
• Izvēles sinhronizēta pulksteņa izeja: 25 MHz un125 MHz
• SFF-8431 V4.1, 1000BASE-X un 100BASE-FXSaderīgs
• IEEE1588 atbalsts, izmantojot SFD
• Aktivizēšanas lokālajā tīklā atbalsts
• Konfigurējami IO spriegumi: 1,8 V, 2,5 V un 3,3 V
• SGMII, RGMII, MII MAC saskarne
• Jumbo rāmja atbalsts 1000M un 100M ātrumam
• Kabeļu diagnostika
– TDR
– BIST
• Programmējama RGMII terminācijas pretestība
• Integrēts MDI terminācijas rezistors
• Ātrās saites atmešanas režīmi
• Atbilst IEEE 802.3 1000Base-T, 100BaseTX, 10Base-Te, 1000Base-X, 100Base-FX standartiem
• Rūpniecisko rūpnīcu automatizācija
• Tīkla infrastruktūra
• Motoru un kustību vadība
• Testēšana un mērīšana
• Ēku automatizācija
• Reāllaika rūpnieciskā Ethernet lietojumprogrammas, piemēram,ProfiNET®
